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　　，SK 海力士将推出 16 层堆叠的 HBM4 内存，并从 HBM4E 开始供应定制化 HBM 解决方案；通用 DRAM 部分则将提供 LPDDR5R、标准与集成计算功能的 LPDDR6；至于 NAND 部分则将见到 PCIe Gen6 企业级与客户端固态硬盘和 UFS 6.0 的诞生。

　　在 SK 海力士的设想中，定制 HBM 的一大变化是将协议及其它、控制器等部分从 XPU 芯片移至 HBM 的基础裸片 (Base Die) 中，为计算单元挪出更多空间，并降低数据接口方面的能耗。

　　SK 海力士为 AI 时代的 DRAM 内存划出了三大发展方向：以低功耗高性能降低 TCO 的 AI-D O、集成计算能力跨越内存墙的 AI-D B、扩展应用领域的 AI-D E。

　　《固态硬盘未来可扩展至 PB 容量：SK 海力士介绍 AIN Family 产品组合》

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